利用溶剂热法可控制备了具有不同质量比的还原氧化石墨烯/Cu In S_2量子点(r GO/Cu In S_2-QDs)杂化材料。将r GO/Cu In S_2-QDs杂化材料与聚(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1, 4-苯撑乙烯基)(MEH-PPV)共混作为光活性层,制备了石墨烯基杂化聚合物太阳能电池,研究了r GO/Cu In S_2-QDs杂化受体材料中r GO与Cu In S_2-QDs的质量比(x)以及聚合物给体材料MEH-PPV与r GO/Cu In S_2-QDs杂化受体材料的质量比(w)对器件性能的影响。结果表明,光活性层复合膜中r GO/Cu In S2(x=0.25)杂化受体材料含量由10%(w=9)增加到17%(w=5)时,器件的电子收集效率(ηc)由0.61提高到0.78,使得器件的光电转换效率得到提高。