采用在4H-SiC衬底上生长的3C-SiC薄膜进行了石墨烯的制备。首先在不同的C/Si比条件下进行3C-SiC薄膜的生长,然后通过对这些3C-SiC薄膜进行热分解来制备石墨烯。对C/Si比为2.21时生长的3C-SiC进行热分解,成功得到了石墨烯,其拉曼光谱2D峰的半高宽为60 cm~(-1),迁移率为1 480 cm~2V~(-1)s~(-1),晶畴尺寸为1μm×1μm左右。由热分解前后样品拉曼光谱的变化可知,石墨烯是由3C-SiC薄膜热分解得到的,与4H-SiC衬底无关,因此通过控制3C-SiC外延层的厚度即可实现对石墨烯厚度的控制。