阻变存储器的电阻转变稳定性和耐擦写次数是其商业化应用的重要指标.采用氧化石墨烯(GO)作为阻变存储器中间介质层,制备了Al/GO/ITO器件,分析了其阻变机制,该器件开启关闭电压、高低电阻值相对波动率较大.针对该问题,采用在GO中掺杂碳黑以及紫外光辐照的方法,在GO内部构筑局域化电场来控制材料内部的氧分布.实验结果表明:在阻变层GO中掺杂一定质量分数的碳黑能降低器件波动性,此外,随着碳黑掺杂质量分数的提高,器件运行状态由突变向缓变转变;紫外光热转化导致导电细丝易断裂,掺杂后加光辐照器件保留了一定的柔性特性.