为提高Bi_2Te_3薄膜的热电性能,采用磁控溅射技术在旋涂有氧化石墨烯(GO)缓冲层的玻璃衬底上共溅制备的Mo掺杂的n型Bi_2Te_3薄膜.通过对其形貌、组成及热电特性的表征,研究了(0 0 l)择优取向的不同Mo溅射功率(P=0,15,25,35,45 W)对Bi_2Te_3的热电性能的影响.结果表明:GO缓冲层的存在可以实现高度取向(0 0 l)的Bi_2Te_3薄膜制备,室温下薄膜迁移率为48 cm~25V~(-1)5s~(-1);Mo掺杂有效提高了Bi_2Te_3薄膜的载流子浓度,使得P_(Mo )=25 W时的Bi_2Te_3薄膜在室温下最大电导率为944 S5cm~(-1),其在400 K时最大功率因子达到2 074.6μW5m~(-1)5K~(-2).表明氧化石墨烯诱导高织构Mo掺杂可以优化n型Bi_2Te_3薄膜的热电性能.