基于第一性原理和平面波超软赝势法计算了不同掺杂浓度下镧(La)掺杂SnO的电子结构和光学性质。计算结果表明,掺杂后体系的导带和价带都发生了下移,费米能级进入导带,呈现出n型导电。随着掺杂浓度的增加,掺杂体系的带隙增加,稳定性降低,掺杂体系的吸收边因为Burstein-Moss效应发生蓝移现象,增加了光学带隙,提高了可见光区域的光催化性。Sn0.875La_(0.125)O体系的静态介电常数最大,极化能力最强,高浓度的La掺杂可以提高体系的可透光率。