采用化学气相沉积法,以SiCl₄-NH₃-H₂为先驱体气体和载气,在等静压石墨表面制备了氮化硅涂层,沉积温度900~1 300℃,沉积压力1 000 Pa,并在600~1 000℃进行了空气气氛静态氧化实验。X射线衍射结果表明,900℃和1 100℃沉积的氮化硅为非结晶态,1 300℃沉积的为结晶的α-Si₃N₄。氧化增重结果表明,900~1 300℃沉积的涂层,对石墨氧化均有明显的防护作用,其中,1 100℃涂层防护效果最好,900℃涂层防护效果最差。采用SEM对氧化前后的涂层表面进行了观察,900℃涂层在800℃或更高温度的空气气氛中发生了明显的氧化现象;1 100℃和1 300℃涂层即使在1 000℃下也未发生明显的氧化现象。基底的氧化由涂层开裂导致,且α-Si₃N₄结晶涂层开裂更显著。