原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术,是一种特殊的化学气相沉积技术,通过将气相前驱体脉冲交替通入反应腔室在基底表面发生化学吸附反应形成薄膜的方法,具有优异的三维保形性、大面积均匀性和精确的亚单层膜厚控制等特点。它的最早可以追溯到苏联和芬兰科学家在二十世纪六十年代的研究工作。自从2001年国际半导体行业将ALD列入与微电子工艺兼容候选技术以来快速发展,2007年Inter公司白半导体工业45 nm技术节点上,采用ALD沉积超薄氧化铪,获得功耗更低、速度更快的器件。近年来,ALD技术在微电子、光电子、光学、纳米技术及光伏等领域呈现出爆发式增长,尤其在新兴的钙钛矿太阳能电池领域。钙钛矿太阳能电池由于优异的光电性能和低廉的制造成本而受到科研工作者的广泛关注,基于钙钛矿材料的太阳能电池在短短几年内,光电转化效率已经突破25%,成为光伏领域的一颗新星。然而,钙钛矿型材料耐水性差,限制了其商业化应用前景。ALD技术在钙钛矿太阳能电池器件中引入致密的金属氧化物层,以同时提高器件光电转化效率和稳定性。采用ALD制备SnO2薄膜既作为器件的电子传输层,又作为封装层,器件展现了非常好的耐水稳定性。同时叠层太阳能电池,ALD技术用于隧穿层的制备,具有膜厚精确控制的优异特性。由于ALD技术自身的性质决定,其生产效率较低,限制了其在光伏领域的应用与发展,嘉兴科民电子技术有限公司通过技术攻关设计并制造国内首台巨量生产型ALD系统,可以实现5000片批量生产,同时兼容多片大面积薄膜制备,有效克服ALD技术生产效率低特点,促进ALD技术的应用与发展。