K掺杂对水溶液法制备Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳能电池的影响

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单位南京邮电大学
来源第九届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会
出版年2022
摘要
溶液法制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池可降低其制备成本,提高原料利用率,是有希望实现大规模应用的低成本薄膜太阳能电池技术之一。考虑到溶剂本身的生产成本及其可能带来的环境问题,H2O是最理想的溶剂选择。本文使用H2O作为溶剂来配制CIGS前驱体溶液,在没有添加MgF2减反射层的情况下获得了效率为7.04%的CIGS薄膜太阳能电池。此外,通过在前驱体溶液中添加KCl对CIGS薄膜进行K掺杂,发现在硒化过程中有K-In-Se相形成,该物质在晶粒生长的过程中起到助熔剂的作用,并充当储硒库为CIGS晶粒生长提供硒,从而形成高质量的CIGS薄膜。同时K掺杂还可以抑制Ga元素的丢失,高带隙K-In-Se相和较高的Ga含量共同导致K掺杂后CIGS带隙增加。最终K掺杂的CIGS薄膜太阳能电池的光电转换效率提高了33.1%,达到9.37%,开路电压从520.5 mV显著提高到597.1 mV,填充因子从50.77%显著提高到55.36%。

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