氧化锡(SnO₂)因其优良的化学稳定性、较高的电子迁移率和可使用简单的低温制备工艺等优点,近年来获得了广泛的关注和迅速的发展。纯净SnO₂具有典型的绝缘体特性,当存在锡间隙或氧空位时显示出简并的n型半导体特性。因此,纯净SnO₂作为电子传输层导电性相对较低,这对钙钛矿电池短路电流和填充因子的提高是不利的。通常采用金属离子掺杂的方法调控SnO₂薄膜的光电性能。在本工作中,我们在低温化学浴沉积