本研究利用溶液法制备锂掺杂氧化镍作为电洞传输层,并利用固气相反应甲胺气体修饰法对钙钛矿薄膜进行改善,使整体发光二极体元件发光亮度与效率皆有效的提升。本研究之元件结构为ITO/Metal-doped nickel oxided/Perovskite/TPBi/LiF/-Al。近年来,无机的金属氧化物材料被广泛应用於电洞传输层,其中较早期即被使用的p型材料为氧化镍,由於氧化镍有诸多优点,如稳定较佳、金属导电性较佳等,但由於其电阻值相对较高,因此也有许多文献尝试利用掺杂不同金属进氧化镍,期望可以降低其电阻、改善能隙带等效果。本研究透过简单的溶液法制程,将锂金属掺杂入氧化镍中,可以提升氧化镍之导电性,并使钙钛矿层表面结晶性变佳、晶格变小,使载子传递更为快速;但掺杂後之薄膜会变得比较粗糙、晶界不明显等问题,而使钙钛矿薄膜产生孔洞、晶界模糊等问题,此时再利用甲胺气体对薄膜表面进行修饰,消除孔洞并使晶界钝化消失等,将可使锂掺杂氧化镍电洞层的优点浮现,不致因为钙钛矿薄膜的表面缺陷而出现效率不佳的问题。使用锂掺杂氧化镍制备之元件,发光亮度可以从18377cd/m2提升至73325cd/m2,发光效率可以从3.4cd/A提升至12.4cd/A。