为了阻止含钴钙钛矿阴极与YSZ电解质之间的元素扩散与界面反应,本论文采用射频磁控溅射方法在YSZ电解质膜上沉积了Gd掺杂的CeO2 (GDC)电解质隔层。研究了溅射基底温度对GDC薄膜、阴极/电解质界面以及电池性能的影响,发现溅射基底温度显著影响GDC薄膜的致密性。当溅射基底温度低于200oC时,GDC薄膜不能有效阻止BSCF阴极与YSZ电解质之间的元素扩散与界面反应,容易在阴极/电解质界面上生成高阻相的BaZrO3;而当溅射基底温度高于250oC时,GDC薄膜能够有效阻止BSCF阴极与YSZ电解质之间的元素扩散与界面反应。