近年来,二维材料凭借其优异的电子和光学特性被广泛地应用到光电器件的制备和应用当中,该类材料与其他材料所制备的异质结结构也得到了具备更多的光电特性的三维材料。铜镓氧(CuGaO₂)材料作为铜铁矿半导体材料一族中的新兴材料,具备禁带宽度大、空穴导电为主的特性。此外,该材料与氧化锌(ZnO)的晶格结构很相似,可用于合成异质结材料,这使其逐渐引起了广泛地关注。随着二维半导体CuGaO₂微纳米片的成功制备,探索二维六边形CuGaO₂微纳米片的光电特性并应用于光电器件当中有着重要的意义。本文通过实验制备CuGaO₂微纳米片并对其进行表征分析,主要包括:采用水热法生长CuGaO₂微纳米片,通过调节生长条件(反应物浓度,ph值等)调谐CuGaO₂微纳米片的尺寸并对其形貌及组分进行表征,进而对生长条件进行不断的优化;采用水热法实现不同离子掺杂CuGaO₂微纳米片的生长,并利用扫描电子显微镜(SEM)分析掺杂对CuGaO₂微纳米片形貌尺寸的影响;X射线衍射谱(XRD)也被用来研究掺杂引起的CuGaO₂微纳米片结构衍射峰的变化。通过紫外分光光度计测试CuGaO₂微纳米片光吸收特性,对不同掺杂浓度样品的吸收光谱进行对比分析;采用水热法将ZnO纳米线生长在CuGaO₂微纳米片的材料表面合成CuGaO₂/ZnO异质结结构,且实现了生长覆盖率高,排列统一的ZnO纳米线;对CuGaO₂/ZnO异质结的紫外探测性能进行了测试分析。此外,通过测量其光致发光光谱分析掺杂及异质结光致发光特性并进行对比分析,结果发现ZnO的光致发光峰位随着异质结的合成和CuGaO₂微纳米片的掺杂浓度增加而逐渐红移。