P型金属氧化物透明导电材料在发光与显示、太阳能电池等方面有着广泛的应用。与二元P型金属氧化物相比,具有ABO₂铜铁矿结构的三元P型金属氧化物薄膜中氧离子对空穴的局域效应较弱,有希望获得更高的电导率,因此受到了人们广泛的关注。CuCrO₂是一种铜铁矿结构的P型氧化物,其光电性质优异、方法多样、物理化学性质稳定,是近年来P型透明导电材料领域的研究热点。本文通过凝胶溶胶方法制备了Mg掺杂CuCrO₂薄膜,系统研究了薄膜中空位缺陷浓度、Mg掺杂浓度、预退火温度三种因素对CuCrO₂薄膜光电性质的影响规律。主要研究内容如下:1.通过调节Cu和Cr前驱体比例,制备出不同Cu空位缺陷密度的Cu_xCrO₂和Cr空位缺陷密度的CuCr_xO₂薄膜,研究了Cu_xCrO₂中和CuCr_x O₂中空位缺陷对于其光电性质的影响。XRD和透过光谱测试表明:Cu空位缺陷密度对于CuCrO₂相的生成没有抑制作用,但会影响晶粒的尺寸大小。Cu空位浓度增加将导致晶粒尺寸变大,有助于CuCrO₂薄膜导电性提高;而含有Cr空位的CuCr_xO₂的引入将阻碍CuCrO₂的生成。2.通过调节前驱体比例,制备出不同Mg掺杂浓度的CuCrO₂薄膜,研究了掺杂浓度对薄膜的晶相、电导率和透过率的影响。实验发现:随着Mg掺杂浓度的增加,薄膜的电导率先上升后下降,;Mg掺杂浓度为8%时,电导率达到最大(0.3 S/cm),而当Mg掺杂浓度大于8%时,MgCr₂O₄的析出将导致薄膜电导率的下降。3.研究了预退火温度对CuCrO₂:Mg薄膜光电性质的影响。预退火温度分别为400℃、500℃、600℃,二次退火温度均为800℃。研究表明:不同的预退火温度下,薄膜内部出现的中间产物CuCr₂O₄和CuO两者的XRD衍射峰强度比存在显著差异,并影响了二次退火后CuCrO₂:Mg薄膜中MgCr₂O₄杂质的含量。当预退火温度为500℃时,薄膜的电导率最高为0.53 S/cm。