钛酸铋钠基陶瓷材料电学性能的研究摘要
本文采用固相法制备Y203掺杂的Na0.5Bi0.5TiO3-x%Y203及La2O3掺杂Na0.5Bi0.5Ti03-x%La2O3的陶瓷材料。XRD结果研究表明,在讨论的掺杂范围内,样品均呈现单一的钙钛矿相,衍射峰均向右偏移。这主要是由于掺杂的离子半径及氧空位有关。在BNT-x%Y2O3体系中,在讨论范围内,掺杂对BNT陶瓷的介电常数无明显影响,但介电损耗有所降低。当x=0.2时,样品损耗最低且随温度的变化不明显。在BNT-x%La2O3体系中,La3+的引入对样品的介电常数及损耗随测试频率的变化影响较明显,均在测试频率为10看Hz时最大。介电损耗随测试频率的升高而降低且对温度变化不敏感。采用固相法制备CaZrO3(简称CZO)及纯BNT,采用非均匀性掺杂制备BNT-xCZO。XRD测试结果表明样品形成了稳定的钙钛矿相。当x>0.25时,出现第二相,这主要是由于CZO在BNT中存在的15%mol的溶解度的问题。介电温谱表明,锆酸钙的掺入,降低了样品的介电常数及介电损耗。CZO含量越大,样品的介电常数越小,且对测试频率及温度的变化越不敏感。通过测试样品的压电性能,发现锆酸钙的掺入并没有提高BNT基陶瓷的压电活性。电滞回线表明,样品在x=0.25呈现较强的半导化。
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