Sr阳离子和O阴离子空位缺陷调控工程提升钙钛矿SrxVO3-δ储锂性能

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单位1College of Materials Science and Engineering, Sichuan University;2Key Laboratory of Neutron Physics and Institute of Nuclear Physics and Chemistry, China Academy of Engineering Physics;3Institute of Atomic and Molecular Physics, Sichuan University;4CIRIMAT, UMR CNRS 5085, Université Toulouse Ⅲ Paul Sabatier;5RS2E, Réseau Fran?ais sur le Stockage Electrochimique de l'Energie收起
来源Science Bulletin
出版年2022
期号第22期
摘要
钙钛矿结构氧化物的空位缺陷调控工程在催化和太阳能电池等领域被广泛研究应用,本文进一步拓展了钙钛矿材料空位缺陷工程在储能领域的应用.使用钙钛矿SrxVO3-δ材料为研究材料,通过调控溶胶燃烧过程中Sr/V化学计量比和还原温度,精确控制样品中的Sr阳离子和O阴离子的空位浓度,并且保持了SrxVO3-δ材料的钙钛矿结构.电化学研究结果表明,通过提高Sr阳离子和O阴离子空位缺陷浓度,SrxVO3-δ电极比容量和倍率性能显著提升.其中,Sr空位缺陷的引入为锂离子提供了额外储锂位点和扩散通道,而O空位缺陷的引入则显著提升了SrxVO3-δ电极的电导率和锂离子扩散系数.因此,空位缺陷工程为钙钛矿结构储能材料电化学性能的提升和设计提供了新思路.

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