酸性矿山废水(AMD)主要由尾矿中黄铁矿被腐蚀产酸所造成, 太阳光照是不容忽视的重要因素。黄铁矿的光腐蚀过程会导致AMD浸出风险增大。利用三乙烯四胺二硫代氨基甲酸钠(DTC-TETA)在黄铁矿表面形成共价钝化膜, 光照条件下, 总铁浸出抑制率为99.6%, Fe³⁺浸出抑制率达到100%。扫描电子显微镜-能量色散X射线光谱(SEM-EDS)、X射线衍射光谱(XRD)和透射电子显微镜(TEM)表征表明,DTC-TETA稳定了光化学反应中黄铁矿的结构。DTC-TETA在黄铁矿表面通过含N基团的给电子特性, 消耗了AMD浸出模拟液中光致活性氧自由基(ROS,·OH), 光照10 h以内·OH生成速率先增大后降低, 抑制了金属半导体尾矿的光化学腐蚀反应。