为了研究黄铜矿半导体电学特性对其生物浸出的影响机制,采用霍尔效应测试技术分析了3种不同来源黄铜矿的半导体电学特性,并在45℃、170 r/min、2%矿浆浓度条件下进行了中等嗜热混合菌浸出试验。结果表明,黄铜矿A的载流子浓度为-9.190×1018cm-3,绝对值明显高于黄铜矿B和C的载流子浓度(-3.065×1018cm-3和-2.183×1017cm-3);黄铜矿A的电阻率为0.054 65Ω·cm,明显低于黄铜矿B和C的电阻率(0.146 9Ω·cm和0.930 6Ω·cm);黄铜矿的载流子浓度、电阻率与其铜浸出率存在明显联系,黄铜矿的载流子浓度越高、电阻率越小,铜的浸出速率就越高,浸出19 d后,3种黄铜矿纯矿物(A、B、C)的铜浸出率分别为66.1%,25.3%和21.4%;电化学试验结果表明,3种黄铜矿的氧化还原反应过程基本相同,但黄铜矿A的腐蚀电流密度明显高于另外两者。