一维隐钾锰矿型二氧化锰的控制合成及其电化学性能摘要
在不加酸条件下,通过调节高锰酸钾和一水硫酸锰的比率,合成了一系列正八面体分子筛二氧化锰纳米材料,并且实现了对一维OMS-2纳米材料直径的有效调控.氮气吸脱附分析(BET),傅里叶变换红外光谱(FT-IR),X射线衍射(XRD),透射电镜(TEM)和氢气程序升温还原(H2-TPR)的详细表征表明:一维二氧化锰纳米材料主要遵循侧向生长机制,奥斯瓦尔德熟化的作用是使两条或多条初始纳米纤维融合在一起.Mn O6正八面体中阳离子Mn3+能促进一维二氧化锰纳米材料的纵向生长,而Mn4+则倾向于促进侧向生长.电化学测试表明,一维OMS-2纳米材料的直径强烈影响其比电容,最小直径材料的比电容为375 F/g.
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