具有无机-有机杂化钙钛矿结构的CH₃NH₃Pbl₃通常偏向于显示n型半导体特性,本文以五氧化二钽(Ta₂O₅)作为绝缘层,制备了基于钙钛矿CH₃NH₃Pbl₃单晶的顶栅结构场效应晶体管,暗态下更明显地观察到了CH₃NH₃Pbl₃所具有的p型场效应特性,空穴场效应迁移率达到8.7×10^-5cm²·V^-1·s^-1,此暗态空穴迁移率比原有报道的基于CH₃NH₃Pbl₃多晶薄膜的SiO₂底栅场效应晶体管提高了一个数量级。此外,光照对CH₃NH₃Pbl₃单晶场效应晶体管的性能有强烈影响。与底栅结构CH₃NH₃Pbl₃多晶场效应晶体管不同,即使有栅极和绝缘层的遮挡,5.00 mW·cm^-2的光照仍可使CH₃NH₃Pbl₃单晶场效应晶体管的空穴电流提高一个数量级(V_GS(栅源电压)=V_DS(漏源电压)=20 V),光响应度达到2.5 A·W^-1。本文工作实现了对CH₃NH₃Pbl₃场效应晶体管载流子传输的选择性调控,表明在没有外部因素的参与下,通过合适的器件设计,CH₃NH₃Pbl₃同样具有制备成双极性晶体管的潜力。